当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应较灵敏。()

[判断题]当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应较灵敏。()A.对B.错

[判断题] 介质损耗tanδ主要反映设备绝缘的集中性缺陷。A . 正确B . 错误

[判断题]在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。()A.对B.错

[判断题]在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。()A.对B.错

[单选题]测量绝缘电阻对下列哪种绝缘缺陷较灵敏（）。A .局部缺陷B .绝缘老化C .局部受潮D .贯穿性导电通道

[单选题]测量绝缘电阻对下列哪种绝缘缺陷较灵敏（）。A.局部缺陷B.绝缘老化C.局部受潮D.贯穿性导电通道

[单选题]测量绝缘电阻对下列哪种绝缘缺陷较灵敏（）。A.局部缺陷B.绝缘老化C.局部受潮D.贯穿性导电通道

[单选题]测量绝缘电阻对下列哪种绝缘缺陷较灵敏()。A.局部缺陷B.绝缘老化C.局部受潮D.贯穿性导电通道

[多选题] 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）A . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ（%）最大值0.7（500kV套管0.5）；B . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式气体tanδ（%）最大值1.5；C . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ（%）最大值2.0；D . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tan&de

[填空题] 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。