[单选题]

下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。

A.可采用荧光体型探测器

B.可采用电离室型探测器

C.可减少人为条件选择不当的失误

D.可自动切断X线的产生

E.多在一钮制设备中使用

参考答案与解析:

相关试题

下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是()

[单选题]下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是()A.可采用荧光体型探测器B.可采用电离室型探测器C.可减少人为条件选择不当的失误D.可自动切断X线的产生E.多

  • 查看答案
  • 下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。

    [单选题]下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。A.可采用荧光体型探测器B.可采用电离室型探测器C.可减少人为条件选择不当的失误D.可自动切断X线的产生

  • 查看答案
  • 下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。

    [单选题]下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。A.可采用荧光体型探测器B.可采用电离室型探测器C.可减少人为条件选择不当的失误D.可自动切断X线的产生

  • 查看答案
  • 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是

    [单选题]关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D.探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

  • 查看答案
  • 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()

    [单选题,A2型题,A1/A2型题] 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()A . 被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B . 探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C . AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D . 探测器置于屏-片体系之前还是之后,效果不一样E . 探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

  • 查看答案
  • 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是

    [单选题]关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.半导体、荧光体3种C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压

  • 查看答案
  • 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()

    [单选题]关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C.AEC的管电压特性

  • 查看答案
  • 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()

    [单选题]关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是()A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C.AEC的管电压特性

  • 查看答案
  • 关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是

    [单选题]关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是A.利用气体的电离效应B.X线强度大时,电离电流大C.X线强度大时,曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量成反比

  • 查看答案
  • 关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是

    [单选题]关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是A.利用气体的电离效应B.X线强度大时,电离电流大C.X线强度大时,曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量成反比

  • 查看答案
  • 下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是(  )。