66kV及以上的电容型套管，应测量“抽压小套管”对法兰或“测量小套管”对法兰的绝缘电阻。采用2500V兆欧表测量，绝缘电阻值不应低于（）MΩ。

[填空题] 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。

[问答题,论述题] 为什么测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时，套管的放置位置不同，往往测量结果有较大的差别？

[单选题]测量套管接箍与套管短节法兰之间的距离时尺子要垂直，测量误差为（）。A．±4mmB．±5mmC．±6mmD．±7mm

[单选题]测量套管接箍与套管短节法兰之间的距离时尺子要垂直，测量误差为（）。A .±4mmB .±5mmC .±6mmD .±7mm

[填空题] 作为备品的110（66）kV及以上套管，应（）放置。

[填空题] 小套管管柱建议采用（）结构即从井口到井底采用（）小套管+（）小套管+（）小套管的形式。

[单选题]套管深度等于（）加法兰短节再加套管总长之和。A .套补距B .油补距C .方补心D .水泥返高

[判断题] 作为备品的110（66）kV及以上套管，必须竖直放置。（）A . 正确B . 错误

[多选题] 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）A . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ（%）最大值0.7（500kV套管0.5）；B . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式气体tanδ（%）最大值1.5；C . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ（%）最大值2.0；D . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tan&de

[填空题] 当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。