描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。

[主观题]描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）

[问答题] 闩锁效应起因？

[多选题] 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A .TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B .TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C .TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D . D.TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

[多选题] CMOS电路具有（）的优点。A .输出的高电平是电源电压、低电平是0B .门坎电平约为电源电压的1/2C .门坎电平约为电源电压D .电源电压使用时较为灵活E .门坎电平约为1.4V

[填空题] 与CMOS电路相比，TTL电路的能耗（）。

[单选题]如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）A . 电平移动器B . 缓冲器C . 放大器D . 比较器

[问答题] 什么是CMOS电路？

[问答题] 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

[单选题]霍尔效应电路产生（）信号。A . 正弦波电压B . 方波电压C . 可变频率正弦波D . 模拟电压

[判断题] CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。A . 正确B . 错误