A . 正确
B . 错误
[单选题]绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()A .P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B .增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C .N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D . D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
[单选题]结型场效应晶体管根据结构不同分为()A .P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B .P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C .N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D .N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
[问答题] 场效应晶体管与晶体管有何不同?
[填空题] 功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。
[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A . 电压B . 电流C . 双极型为电压、场效应为电流D . 双极型为电流、场效应为电压
[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A.电压B.电流C.双极型为电压、场效应为电流D.双极型为电流、场效应为电压
[判断题] 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A . 正确B . 错误
[填空题] 场效应晶体管利用()决定脉冲的形式。
[单选题]功率场效应晶体管一般是()。A . N沟道耗尽型B . N沟道增强型C . P沟道增强型D . P沟道耗尽型
[填空题] 电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。