A . 发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置
B . 发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置
C . 发射结及集电结均处于正向偏置
D . 发射结及集电结均处于反向偏置
[单选题]在晶体三极管工作在放大区时,其特点是()。A . 发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置B . 发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置C . 发射结及集电结均处于正向偏置D . 发射结及集电结均处于反向偏置
[单选题]晶体三极管工作在饱和状态时,满足()A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
[单选题]晶体三极管工作在饱和状态时,满足()A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
[单选题]晶体三极管工作在截止状态时的特点是()。A . 发射结反向偏置,集电结正向偏置B . 发射结正向偏置,集电结反向偏置C . 结和集电结都处于反向偏置D . 结和集电结都处于正向偏置发射
[单选题]晶体三极管工作在放大状态时的特点是()。A . 发射结反向偏置,集电结正向偏置B . 发射结正向偏置,集电结反向偏置C . 发射结和集电结都处于反向偏置D . 发射结和集电结都处于正向偏置
[单选题]如果晶体三极管工作于饱和区则该管()。A . 发射结正向偏置,集电结反向偏置B . 发射结正向偏置,集电结正向偏置C . 发射结反向偏置,集电结正向偏置D . 发射结反向偏置,集电结反向偏置
[单选题]晶体三极管工作在深饱和区时,IB、IC、β之间的关系为()。A . IC=βIBB . IC>βIBC . IC<βIBD . IC≥βIB
[单选题]如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。A .发射结正偏置,集电结反偏置B .发射结正偏置,集电结正偏置C .发射结反偏置,集电结正偏置D . D.发射结反偏置,集电结反偏置
[单选题]如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏
[单选题]如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏