非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

[单选题]CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。A . ≥10%B . ≥13%C . ≥15.5%D . ≥17%

[单选题]采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。A . 0.06B . 0.08C . 0.1D . 0.12

[单选题]光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。A . 0.12B . 0.14C . 0.16D . 0.18

[单选题]非晶硅薄膜组件效率不低于（）。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06

[单选题]《金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）》中规定，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。A . ≥12.5%B . ≥13.5%C . ≥14.5%D . ≥15.5%

[单选题]采用晶体硅组件的示范项目补助标准为（）元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为（）元/瓦。A . 9；7B . 8；7C . 8；6D . 9；8

[单选题]金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件最高限价（）元/峰瓦。A . 4B . 8C . 9D . 6

[单选题]金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于（）。A . 0.02B . 0.03C . 0.04D . 0.05

[单选题]产品化的非晶硅太阳能电池光电转换效率为（）。A . 5%∽8%B . 8%∽11%C . 11%∽13%D . 13%∽15%

[填空题] 薄膜电池分为：（）和非晶硅薄膜电池。