A . IGBT
B . GTO
C . MOSFET
D . IGCT
[单选题]电力场效应管MOSFET()现象。A .有二次击穿B .无二次击穿C .防止二次击穿D .无静电击穿
[单选题]电力场效应管MOSFET是()器件。A .双极型B .多数载流子C .少数载流子D .无载流子
[单选题]电力晶体管的开关频率()电力场效应管。A .稍高于B .低于C .远高于D .等于
[单选题]电力场效应管适用于()容量的设备。A .高速大B .低速大C .高速小D . D.低速小
[单选题]在斩波器中,采用电力场效应管可以()。A .提高斩波频率B .降低斩波频率C .提高功耗D .降低斩波效率
[判断题] 电力场效应管是理想的电流控制器件。A . 正确B . 错误
[单选题]电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。A .电压B .电流C .电阻D .功率
[单选题]斩波器中若用电力场效应管,应该()的要求。A .提高对滤波元器件B .降低对滤波元器件C .提高对管子耐压D .降低对管子耐压
[单选题]电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。A . 直流B . 低频C . 中频D . 高频
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管。A .稍高于B .低于C .等于D .远高于