近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。

[填空题] 近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。

[判断题] 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A . 正确B . 错误

[单选题]探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A .增加B .减小C .不变

[判断题] 要减小近场区长度，必须更换大直径探头。A . 正确B . 错误

[填空题] 探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

[判断题] 斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A . 正确B . 错误

[单选题]由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A . 对探伤有利B . 对探伤不利C . 半扩散角增大D . 超声波能量发散

[问答题,论述题] 说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？

[单选题]关于声场的特性，下述正确的是A．近场区长度与探头半径和频率成正比B．近场区横向分辨率低于远场区C．近场区声束呈喇叭形D．近场区横断面上能量分布基本均匀E．远场区声束直径小于近场区

[单选题]下列（）晶片发射纵波的近场区最长。A .1MHzφ14mmB .2.5MHzφ14mmC .1MHzφ20mmD .25MHzφ30mm