A . 负胶受显影液的影响比较小
B . 正胶受显影液的影响比较小
C . 正胶的曝光区将会膨胀变形
D . 使用负胶可以得到更高的分辨率
E . 负胶的曝光区将会膨胀变形
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误
[多选题] 光刻胶的光学稳定通过()来完成的。A . 红外线辐射B . X射线照射C . 加热D . 紫外光辐射E . 电子束扫描
[多选题] 光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。A . 树脂B . 感光剂C . HMDSD . 溶剂E . PMMA
[问答题] 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA
[判断题] 对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A . 正确B . 错误