硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）

[问答题] 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

[问答题] 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

[主观题]以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）

[主观题]为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？（仕兰微电子）

[问答题] 以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

[单选题]沸水堆MarkI型安全壳的干阱和湿阱由（）组成。A.4.28cm的钢材料B.5.18cm的钢材料C.4.28cm的不锈钢材料D.5.18cm的不锈钢材

[单选题]沸水堆的MarkI型安全壳的干阱和湿阱由（）组成。A.4.28cm的钢材料B.5.18cm的钢材料C.4.28cm的不锈钢材料D.5.18cm的不锈钢

[名词解释] 通量阱 flux trap

[问答题] 影响最终热阱可靠性的因素包括哪些？低水位考虑的目的是什么？作为最终热阱，法规规定的最小可接受容量是多少？

[单选题]沸水堆MarkII和MarkIII中干阱的材料为（）。A.钢B.不锈钢C.混凝土D.A或C