A.集成电路是20世纪50年代出现的
B.现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓
C.集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成
D.集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路
[单选题]下面关于集成电路的叙述中错误的是()A . 集成电路是上世纪50年代出现的B . 集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成C . 集成电路使用的都是半导体硅材料D . 集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切的关系
[单选题]下列关于集成电路的叙述中,错误的是( )。A.集成电路使用的都是半导体硅(Si)材料B.集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路C.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系D.集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上
[单选题]下列关于集成电路的叙述中错误的是()A . 集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上B . 现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓C . 集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路D . 集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路
[单选题]半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A.集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B.集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C.集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D.集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成
[单选题]半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A . 集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B . 集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C . 集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D . 集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成
[单选题]下面关于集成电路(IC)的叙述中正确的是( )。A.集成电路是20世纪60年代出现的B.按用途可分为通用和专用两大类,微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路C.现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系
[单选题]下列关于集成电路的说法中错误的是()A . 集成电路是现代信息产业的基础之B . 集成电路只能在硅(Si)衬底上制作而成C . 集成电路的特点是体积小、重量轻、可靠性高D . 集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管的尺寸密切相关
[单选题]在下列有关集成电路和叙述中,错误的是()A . 集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B . 大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C . 现代集成电路使用的半导体材料主要是硅(Si)D . 集成电路技术发展很快,至2005年初已达到0.001微米的工艺水平
[多选题] 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A .TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B .TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C .TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D . D.TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
[单选题]下列关于集成电路特点的表述,错误的是( )。A.集成电路是微电子技术的核心B.集成电路是现代电子信息技术的基础C.集成电路的体积小D.集成电路的能耗高