一般小功率硅管的管压降可为（）V

[单选题]小功率硅管的Icbo一般小于（）A . 0.1µAB . 1µAC . 10µAD . 100µA

[单选题]可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右A .0.3B .1C .0.7D .1.5

[单选题]对于一般小功率管来说锗管的Jcbo约为（）。A . 小于1μAB . 小于7μAC . 20μAD . 10μA左右

[填空题] 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。

[单选题]PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A . 0.2～0.3；B . 0.4；C . 0.6～0.7；D . 0.5。

[单选题]光电耦合器的正向管压降一般在（）V以下。A . 30B . 5C . 1.5

[填空题] 硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。

[单选题]电路如图所示，D1、D2均为硅管（正向压降0．7V），D为锗管（正向压降0．3V），U=6V，如果二极管的反向电流为V，则流过D1、D2的电流分别为：（）A . 2mA，2mAB . 0，2mAC . 2mA，0D . 0，0

[填空题] 硅管的正向压降为（）V。

[判断题] 硅管的正向压降为0.7V。A . 正确B . 错误