场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

[单选题]N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴

[单选题]场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A . 栅极电流B . 栅源电压C . 漏源电压D . 栅漏电压

[判断题] 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。A . 正确B . 错误

[单选题]增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。A . UGS＞UTB . UGS＜UTC . UGS=0D . UGS＞UT

[单选题]场效应管的漏极用英文字母（）表示.A .S；B .G；C .D；D .V

[单选题]场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A . 绝缘型；B . IGBT型；C . 稳压型；

[单选题]场效应管源极用（）表示。A . CB . GC . SD . D

[单选题]在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A . 体内场效应而工作的B . 表面场效应而工作的C . 载流子导电而工作的

[单选题]场效应管共漏极放大器（源极跟随器）的特点是（）A .输入、输出阻抗均很大，输入输出信号同相B .输入、输出阻抗均很大，输入输出信号反相C .输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号反相D .输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号同相

[判断题] 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。A . 正确B . 错误