光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[问答题] 根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？

[多选题] 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A . 树脂B . 感光剂C . HMDSD . 溶剂E . PMMA

[问答题] 什么是负性光刻？正性光刻？

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

[多选题] 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A . 红外线辐射B . X射线照射C . 加热D . 紫外光辐射E . 电子束扫描