在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[单选题]对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A . 离子注入B . 溅射C . 淀积D . 扩散

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A . 正确B . 错误

[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[名词解释] 离子注入