[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
[问答题] 热镀锌按退火方式的不同可分为哪两种类型?
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[多选题]根据热源不同,自燃可分为( )两种类型。 A.自热自燃B.化学自然C.物理自燃D.生物自燃E.受热自燃
[问答题] 轮碾机按碾轮与碾盘的运动方式可分为哪两种类型?按传动方式又可分为哪两种类型?
[多选题] 根据不同地载体形态,编成果可分为()两种类型。A . 图表式B . 印刷型C . 非印刷型D . 声像式
[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?