半导体掺杂

[判断题] 本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体A . 正确B . 错误

[判断题] P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[问答题] 半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？

[填空题] 半导体有三个主要特征（）、（）和掺杂特征。

[填空题] 半导体有三个主要特性：（）热敏特性、掺杂特性。

[判断题] 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）A . 正确B . 错误

[填空题] 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

[问答题] 半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？