在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA

[问答题] 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[多选题] 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A . 红外线辐射B . X射线照射C . 加热D . 紫外光辐射E . 电子束扫描