例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[多选题] 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A . 负胶受显影液的影响比较小B . 正胶受显影液的影响比较小C . 正胶的曝光区将会膨胀变形D . 使用负胶可以得到更高的分辨率E . 负胶的曝光区将会膨胀变形

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[多选题] 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A . 红外线辐射B . X射线照射C . 加热D . 紫外光辐射E . 电子束扫描

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA

[多选题] 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A . 树脂B . 感光剂C . HMDSD . 溶剂E . PMMA