• 半导体芯片制造高级工题库

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

[填空题] 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

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  • 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。

    [单选题]恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。A . 高斯B . 余误差C . 指数

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  • 典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?

    [问答题] 典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?

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  • 单晶片切割的质量要求有哪些?

    [问答题] 单晶片切割的质量要求有哪些?

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  • 延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延

    [填空题] 延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

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  • 金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成

    [单选题]金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是()。A . 合金A-42B . 4J29可伐C . 4J34可伐

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  • 双极晶体管的1c7r噪声与()有关。

    [单选题]双极晶体管的1c7r噪声与()有关。A . 基区宽度B . 外延层厚度C . 表面界面状态

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  • 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

    [填空题] 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

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  • 微波混合集成电路是指工作频率从300MHz~100kMHz的混合集成电路,可分为

    [填空题] 微波混合集成电路是指工作频率从300MHz~100kMHz的混合集成电路,可分为分布参数微波混合集成电路和()微波混合集成电路两类。

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  • 什么叫晶体缺陷?

    [问答题] 什么叫晶体缺陷?

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  • 最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。

    [填空题] 最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。

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  • 半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.

    [填空题] 半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.

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  • 金丝球焊的优点是无方向性,键合强度一般()同类电极系统的楔刀焊接。

    [填空题] 金丝球焊的优点是无方向性,键合强度一般()同类电极系统的楔刀焊接。

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  • 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺

    [填空题] 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为()。

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  • 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

    [填空题] 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

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  • 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的

    [填空题] 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层(),它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距。

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  • 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内()控制。

    [填空题] 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内()控制。

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  • 禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件

    [填空题] 禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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  • 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.

    [填空题] 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.0倍,判引线键合()。

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  • 钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。

    [填空题] 钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。

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  • 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分,而()设计也包含在这三部分中

    [填空题] 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分,而()设计也包含在这三部分中间。

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  • 芯片焊接质量通常进行镜检和()两项试验。

    [填空题] 芯片焊接质量通常进行镜检和()两项试验。

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